聚焦先进制程，激光加热助力晶圆从修复到优化

晶圆退火本质是通过精准加热与冷却，以修复制造缺陷、激活掺杂元素和优化薄膜质量，进而改善晶圆材料的物理、化学性能。而要实现这些效果，退火工艺需满足严格要求：一是控温精度高，先进制程下温度偏差需控制在 ±1℃内，避免温度波动影响器件一致性；二是加热均匀性好，局部温差过大会导致晶圆翘曲或性能不均；三是兼容性强，需适配 8 英寸、12 英寸等不同尺寸晶圆，以及硅、化合物半导体等多种材料。

传统退火多采用炉式加热，需对整个晶圆进行高温处理，存在热影响范围大、能耗高、适配性弱等问题。而激光退火凭借独特优势，成为先进制程的主流选择。其核心优势主要体现在：

• 热影响区极小：激光能量集中在微米级区域，仅加热目标部位，周边材料几乎不受影响，大幅降低晶圆翘曲、薄膜失效风险；

• 响应速度快：激光可瞬间达到目标温度，无需漫长升温过程，单晶圆处理效率较传统方式提升 3-5 倍；

• 工艺灵活性高：可通过调整参数适配不同材料与制程，避免传统炉式退火“一刀切” 的局限。

在应用场景上，激光退火可针对 FinFET（鳍式场效应晶体管）、GAA（全环绕栅极）等先进器件的局部区域加热，尤其适配  “局部修复” 的需求，比如仅对源漏区退火，避免栅极结构因高温受损。

迈射科技推出的半导体激光智能加热一体化方案，光斑尺寸智能可调、加热温度精准可控，满足先进制程下晶圆退火的精细化、高效化需求。

方案搭载智能光斑调节系统，可根据退火需求将光斑尺寸在微米级范围内灵活调整。无论是小面积的器件核心区域，还是不规则的局部结构，都能实现 “精准覆盖”，解决传统激光退火光斑固定、适配性差的问题。

通过自研温度控制系统，方案可将激光功率密度波动控制在 ±2% 以内，确保加热温度稳定；同时，温度调节响应时间仅 1 毫秒，能快速适配不同区域的温度需求 —— 既避免温度过高烧毁晶圆或破坏栅极结构，也防止温度过低导致缺陷修复不彻底、掺杂元素激活不足，显著提升芯片良率。

不同晶圆材料（如硅、碳化硅、氮化镓）对激光波长的吸收效率差异较大。迈射科技方案提供多种波长可选，可根据材料特性选择最优波长，确保激光能量被目标区域高效吸收，减少能量损耗的同时，避免非目标区域因吸收多余能量产生的性能隐患。

从基础退火需求到先进制程的精细化要求，激光技术正持续推动半导体制造升级。迈射科技以 “精准、稳定、适配” 为核心的激光加热方案，不仅解决了当前晶圆局部退火的技术痛点，更为后续更高制程的发展提供了可靠支撑。

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